CdGeAs_2晶体的蚀坑形貌观察

摘要：

采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs_2)单晶片(101)面蚀坑形貌.选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs_2晶片.报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO_3∶H_2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs_2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰三角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面三角形蚀坑的形成原因.

关键词：非线性红外光学晶体、砷锗镉、腐蚀剂、蚀坑形貌

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：863计划课题项目2007AA03Z443;国家自然科学基金项目50732005,50672061

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：74-76,81