P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究

摘要：

采用电化学极化测量技术研究了p(100)和p(111)硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为,考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响.结果表明:在室温下当KOH浓度为5～6 mol/L时硅片腐蚀速率最大;随着KOH腐蚀液温度增加,腐蚀速率增大,在50℃左右腐蚀速率增加显著;硅片表面缝隙会加剧硅的局部腐蚀,在同等实验条件下缝隙腐蚀速率比均匀腐蚀快一个数量级.

关键词：P型单晶硅片、腐蚀行为、极化曲线、缝隙腐蚀

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：科技部国际科技合作项目资助2005DFBA028;教育部大学生创新性实验计划项目资助LA07023

在线出版日期：2008-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：126-131