第Ⅵ族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究

摘要：

采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线.高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长.结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET).对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1 s-1.这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义.

关键词：Ⅵ族半导体、纳米线、场效应晶体管

分类号：O472+.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50703012

在线出版日期：2008-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：76-79,84