10.3969/j.issn.1001-4381.2008.03.008
碳化硅颗粒表面磁控溅射镀铜膜的研究
采用直流磁控溅射方法,在SiC颗粒表面成功地沉积了金属铜膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)和电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-AES)等测试仪器对其表面形貌和组份进行了表征.重点讨论了不同的沉积条件对薄膜结晶的影响,并用X射线衍射仪(XRD)对其进行了表征.结果表明,溅射镀膜时,通过控制SiC颗粒的运动方式,可以在其表面镀上均匀、连续和致密的金属膜.溅射时间越长或溅射功率越大或温度越高,都有利于薄膜结晶.
磁控溅射、金属膜、碳化硅、X射线衍射仪
TB79;TB333(真空技术)
航空基金05H51046;北京市教委共建项目JD100060627
2008-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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