多孔硅电学特性研究

摘要：

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.

关键词：多孔硅、双槽电化学腐蚀法、I-V特性、欧姆接触

分类号：O472;O478(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60371030;60771019

在线出版日期：2008-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：9-13,17