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10.3969/j.issn.1001-4381.2006.12.011

C/SiC-(W-C)多元基复合材料的制备与表征

引用
采用化学气相渗透(CVI)结合溶液浸渍法制备C/SiC-(W-C)多元基复合材料,利用XRD,EDS和SEM技术对材料的物相组成及微观结构进行表征,并对W-C基体的形成机理进行了初步探讨.结果表明:W-C不仅分散在纤维束间,还分散在纤维束内.C/SiC-(W-C)复合材料的密度为3.4g/cm3,开气孔率为11%.

C/SiC-(W-C)复合材料、多元基体、溶液浸渍

V257;TB333(航空用材料)

国家自然科学基金90405015;国家自然科学基金50425208

2007-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

46-49

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材料工程

1001-4381

11-1800/TB

2006,(12)

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