电偶腐蚀法制备多孔硅的研究

摘要：

用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析.实验发现,在相同的腐蚀条件下,多孔硅的厚度随铂电极的厚度以及铂电极与腐蚀硅片的面积比的增大而增大.

关键词：多孔硅、电偶腐蚀法、腐蚀条件、厚度、表面形貌

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60371030;60071027;天津市自然科学基金023603811

在线出版日期：2006-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：45-48,52