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10.3969/j.issn.1001-4381.2006.07.003

磁控溅射法制备CNx薄膜及其结构表征

引用
以Ar/N2混合气体作为溅射气体,利用直流磁控溅射的方法制备子碳氮薄膜.利用X射线衍射和红外光谱对碳氮薄膜进行了结构分析.IR光谱证实了薄膜中碳氮化合物的形成,而XRD的检测结果表明,类石墨相g-C3N4是碳氮薄膜中的主要成分,同时有极少量的β-C3N4晶相生成.同时发现,Ar/N2溅射气体的分压对获取β-CsN4有着明显的影响.本实验中,当N2体积分数为33%,碳氮薄膜中β-C3N4晶相的含量最高.

碳化氮、薄膜、磁控溅射、结构表征

O484(固体物理学)

东南大学校科研和教改项目4012001003

2006-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

11-13,18

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1001-4381

11-1800/TB

2006,(7)

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