钨掺杂PZN-PZT陶瓷的结构与压电性能的研究

摘要：

用二次合成法制备了掺杂WO3的PZN-PZT压电陶瓷,研究了WO3对PZN-PZT陶瓷晶胞结构与压电性能的影响,结果表明钨掺杂促进PZN-PZT陶瓷的烧结致密化,于1100℃下形成晶界清晰,结构致密的陶瓷.钨掺杂引起晶格畸变,随着钨含量的增加,晶格常数a和c减小,四方度降低;对压电性能的研究表明随着钨含量的增加,PZN-PZT陶瓷的矫顽场Ec、自发极化强度Ps、机电耦合系数Kp和压电常数d33减小,介电常数ε和机械品质因数Qm增大,绝缘电阻率ρ先增加后减小;PZN-PZT陶瓷在WO3掺杂量为1.0%(质量分数)时具有最佳综合性能.

关键词：掺杂、晶格常数、压电性能、电滞回线

分类号：TM282(电工材料)

资助基金：航空科研项目03G53036;中国博士后科学基金2003033520

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3-7,11