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10.3969/j.issn.1001-4381.2004.07.005

SiCsf/SiC-BN复合陶瓷的制备及抗氧化性能

引用
制备了SiC短纤维增强原位合成的SiC-BN复合陶瓷(SiCsf/SiC-BN),对其氧化动力学进行了分析计算,并对不同成分的SiCsf/SiC-BN复合陶瓷在800~1200℃的氧化过程进行了研究.研究表明, Si3N4,B4C和C可以原位合成复合陶瓷的基体.复合陶瓷在高温发生氧化时,SiC和BN氧化产物主要为SiO2和B2O3,这两者互融形成的薄膜可以有效减缓复合陶瓷的氧化.

SiCsf/SiC-BN复合陶瓷、氧化、SiC短纤维、原位合成

TQ174.75

国家高技术研究发展计划863计划863-409

2004-09-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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材料工程

1001-4381

11-1800/TB

2004,(7)

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