裂解升温速率对聚碳硅烷先驱体转化制备Cf/SiC材料弯曲性能的影响

摘要：

以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体制备了3D-B Cf/siC复合材料,研究先驱体转化过程中不同裂解升温速率对材料力学性能的影响.结果表明:随着裂解升温速率的提高,材料致密度增加,界面结合变弱,从而陶瓷基复合材料的力学性能明显提高.以15℃/min裂解升温速率制得的陶瓷基复合材料的室温弯曲强度达到556.7MPa,1300℃真空下测试,材料的弯曲强度达到680.3MPa.

关键词：Cf/SiC复合材料、聚碳硅烷、弯曲强度、界面

分类号：TB323(工程材料学)

在线出版日期：2004-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：11-13