退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构影响研究

摘要：

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对Si基Bi4Ti3O12薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响.研究表明,退火温度低于450℃时Bi4Ti3O12薄膜为非晶状态,退火温度在550～850℃范围时均为多晶薄膜,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c轴取向的生长;而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大,但在较高温度下增长速度趋缓.

关键词：铁电薄膜、Bi4Ti3O12、微观结构、退火温度

分类号：TM22.1(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金69771024;广西教育厅科研项目桂教科研200156

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-31,47