CVD法制备SiC先进陶瓷材料研究进展

摘要：

SiC陶瓷材料具有许多优异的性能如高比强度、高比模量、低密度、高硬度、高导热系数、低的热膨胀系数、耐腐蚀、抗氧化等,从而被广泛用作高温结构部件.CVD 工艺灵活,制备的SiC陶瓷具有很高纯度和致密度,因而是制备先进SiC陶瓷的最有希望的工艺之一.对CVD法制备SiC涂层和SiC基复合材料的研究及应用进行了综述.

关键词：CVD、SiC先进陶瓷、进展

分类号：TB323(工程材料学)

资助基金：国防预研基金41312011002

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-插1