纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为

摘要：

通过碳热还原法合成了纳米SiC粉并对其在8.2～12.4GHz频率范围的介电参数进行了测量.通过改变铝含量和反应气氛分别得到了β,12H和21R型碳化硅粉.β-SiC粉具有比α-SiC粉高得多的相对介电常数ε′r=30～50)和介电损耗角正切值(tgδ=～0.7).虽然Al和N的固溶将SiC粉的电阻率减小到102Ω*cm的量级,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加,反而随Al含量的增加降低.

关键词：介电性能、缺陷、碳热还原、碳化硅纳米粉

分类号：TQ129

资助基金：国家自然科学基金5943206;清华大学校科研和教改项目JZ0009

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：19-21