GaP薄膜的制备与性能研究

摘要：

利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构.设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果.制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.

关键词：GaP薄膜、射频磁控溅射、增透保护膜系

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：航空基础科学基金98G53104

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：27-30