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10.3969/j.issn.1001-4381.2001.05.006

长柱状β-Si3N4晶粒与SiC晶须在层状Si3N4/BN复合材料中的作用

引用
用SiC晶须和长柱状β-Si3N4对Si3N4/BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对SiC晶须和原料中存在的少量β-Si3N4晶粒有一定的定向作用,而基体层中定向分布的SiC晶须和长柱状的β-Si3N4晶粒对基体层的强韧化作用类似于块体材料,其抗弯强度和断裂韧性的提高幅度都大于50%;分隔层中β-Si3N4的定向度较差,但这有利于形成网状结构,在分隔层中起到骨架的作用,同时还可以增加裂纹的扩展长度,改善分隔层与基体层的界面结合状态。最终得到性能最佳的材料的成分为Si3N4+20wt%SiC晶须(基体层),BN+15vol%β-Si3N4(分隔层),其断裂功可达4820J/m2,抗弯强度仍可保持在650MPa。

层状材料、SiC晶须、长柱状β-Si3N4、分隔层

TQ153

国家自然科学基金59632090

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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材料工程

1001-4381

11-1800/TB

2001,(5)

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