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10.3969/j.issn.1001-4381.2001.02.005

β-Si3N4单晶体的制备

引用
在自增韧Si3N4陶瓷的烧结过程中,添加作为晶种的长柱状β-Si3N4单晶体对于改善陶瓷的强度和韧性是非常有效的。本研究旨在制备出长柱状β-Si3N4单晶体,并对其尺寸和形貌进行有效的控制。通过对87.3wt%α-Si3N4+8.3wt%Y2O3+4.4wt%SiO2体系进行气压烧结,经去除掉玻璃相等漂洗工艺后,制得β-Si3N4单晶体,其直径为1~2μm、长度为4~6μm。同时对不同烧结工艺下制得的β-Si3N4单晶体的尺寸和工艺参数的关系进行了研究。

长柱状、β-Si3N4单晶、制备

O782(晶体生长)

国家高技术研究发展计划863计划863-715-006-0100

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

17-18,21

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材料工程

1001-4381

11-1800/TB

2001,(2)

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