磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的特殊性分析

摘要：

利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用干涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究.结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略有提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关.这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义.

关键词：沉积速率、磁控反应溅射、靶中毒、原子百分比

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：航空基础科学基金93G53120;陕西省自然科学基金99C29

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-17,21