SiCp/Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究

摘要：

通过利用TEM研究SiCp/Al-Si复合材料发现:SiC/Al界面结合紧密,在靠近SiC界面的Al基体中,有一层厚度小于1μm的"亚晶铝带", 它紧靠SiC表面形成, 与远离SiC的Al基体有几度的位向差;这种"亚晶铝带"在SiC/Al界面上普遍存在,其内有大量位错.

关键词：SiCp/Al-Si复合材料、SiC/Al界面、亚晶铝带、位错

分类号：TG115.21;TB331(金属学与热处理)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：8-10