10.16559/j.cnki.2095-2295.2016.03.004
铈镧复合碳酸盐掺杂ZnVTiO基低压压敏陶瓷制备
为探索现有稀土分离生产线中间产品-铈镧复合碳酸盐在制备ZnVO基低压压敏陶瓷中应用的可能性,采用传统混合氧化物工艺在900℃4 h烧结条件下制备了以TiO2作为晶粒生长促进剂、以质量分数为0~0.3%镧铈复合碳酸盐作为改性剂的低压ZnVO基压敏陶瓷.除ZnO主晶相、Zn3(VO4)2和Zn2TiO4第二相,复合稀土碳酸盐在烧结中的分解还促使陶瓷中形成了CeVO4结构第二相,其中的Ce由La部分取代,并固溶有Zn,Mn和Co.Ti掺杂促进部分ZnO晶粒异常长大的作用未因复合稀土的引入而改变,导致陶瓷晶粒尺寸大小两极分化.质量分数为0.1%的稀土复合掺杂样品性能最佳:非线性系数15.3,压敏电压129 V/mm,漏电流密度183.7 μA/cm2.
铈镧复合碳酸盐、ZnVTiO基压敏陶瓷、低压
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TN304.93;TN379(半导体技术)
内蒙古自治区草原英才白云鄂博矿多金属资源综合利用创新团队基金;能源与资源高效利用科技创新团队创新团队专项基金资助项目
2016-11-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
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