1.5T下高介电材料几何结构对发射场影响的仿真研究

摘要：

近年来研究发现,在高场及超高场磁共振成像(MRI)中,高介电材料在提高磁共振射频线圈性能,以及增强图像信噪比方面具有极大的应用潜力.当前高介电材料研究主要集中于其对磁共振图像信噪比的改善,但对于高介电材料几何结构,以及其对发射场分布均匀度影响的研究不多.本研究利用电磁仿真的方法定量分析了1.5 T下,高介电材料几何结构对水模感兴趣区内发射效率均值和发射场B1+均匀度的影响.结果表明,高介电材料的几何结构对B1+均匀度会产生较大影响;比较了不同几何结构的高介电衬垫之后发现,加入四等分圆筒状高介电衬垫后,感兴趣区内发射效率提升最高,同时B1+均匀度也保持良好.该结果对高介电材料应用于MRI具有重要的参考价值.

关键词：磁共振成像(MRI)、发射场B1+、电磁仿真、高介电材料(HPMs)

所属期刊栏目：39

分类号：O482.53(固体物理学)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国科学院战略性先导科技专项;广东省重点领域研发计划;湖北省科技重大专项;中国科学院磁共振技术联盟资助项目

在线出版日期：2022-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：155-162