斜位电流注入磁共振电阻抗成像(MREIT)与硬件设计

摘要：

现有的磁共振电阻抗成像(MREIT)方法只适用于主磁场平行水平面的磁共振系统,本文中提出了一种新的MREIT方法即斜位电流注入磁共振电阻抗成像,同时适用于主磁场垂直于水平面的磁共振系统.硬件系统以磁共振主控计算机为控制中心,将MRI与EIT有机结合于一体:(1)能够测量注入电流在成像体内部感应磁场的磁感应强度B(z,y,z);(2)向成像体注入电流;(3)满足时序匹配要求;(4)测量边界电压.文章还展示了利用此装置所得的初步实验结果.

关键词：磁共振电阻抗成像、硬件设计、斜位电流注入

所属期刊栏目：24

分类号：O482.53(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50577064

在线出版日期：2007-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：183-189