10.3969/j.issn.1000-4556.2000.02.011
KCdF3:Cr3+晶体EPR零场分裂参量与电荷补偿效应的研究
按照叠加模型与EPR零场分裂参量的三阶微扰理论,建立了KCdF3:Cr3+晶体EPR零场分裂参量与四角对称Cr3+-Cd2+缺陷中心局域结构之间的定量关系.证实Cd2+空位与晶格畸变的存在,我们获得:围绕Cr3+离子的六个F-配体分别向中心Cr3+移动Δ1=0.00294nm,Δ2=0.0010nm,Δ3=0.0028nm(参见图2).EPR零场分裂参量与实验一致表明:Cd2+空位与晶格畸变的假设是合理的.尽管四角晶场主要来自Cd2+空位,但晶格畸变的贡献不可忽略.
KCdF3:Cr3+晶体、EPR参量、电荷补偿、Cd2+空位、晶格畸变
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O6(化学)
中国科学院资助项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
153-159