新型4H-SiC肖特基二极管的仿真与分析

摘要：

设计了斜面结构碳化硅肖特基二极管(4H-SiC SBD)并且在器件中加入场环结构,通过基于半导体物理理论的计算机辅助设计软件( Silvaco-TCAD)分析计算了常规结构和新结构SiC -SBD器件的V-I特性、击穿电压、温度热学分布.对比计算结果,可知新结构SiC-SBD器件击穿电压提高至2300V,导通电阻减小,温度热学分布明显优于常规结构SiC-SBD器件.

关键词：4H-SiC、肖特基二极管、击穿电压、V-I特性

所属期刊栏目：39

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：117-121