适用于位交叉布局的低电压SRAM单元

摘要：

提出一种9管单端SRAM单元结构,该种SRAM单元采用读写分离方式,具有较高的保持稳定性和读稳定性.该单元采用新的写操作方式,使由其组成的存储阵列中,处于“假读”状态的单元仍具有较高的稳定性,因此在布局时能够采用位交叉布局,进而采用简单的错误纠正码(ECC)方式解决由软失效引起的多比特错误问题.仿真结果显示,当电源电压为300 mV时,该种结构的静态噪声容限为100 mV,处于“假读”状态的单元静态噪声容限为70 mV.

关键词：SRAM单元、低电压、静态噪声容限、位交叉结构

所属期刊栏目：49

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：721-724