共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法

摘要：

针对实验中发现的受静电损伤LED与共振隧穿二极管（RTD）模型有相似表现的现象，提出一种LED失效分析方法。经过500～3000V的HBM模型损伤，一部分失效LED的1-V曲线表现出类似共振隧穿二极管（RTD），正向电流呈现隧道电流的特征，证实静电损伤路径穿越了LED内量子阱，改变了内部的结构。将这种曲线与RTD做对比，并推广至其他失效曲线的分析，建立了一套通过伏安特性曲线对比方法，分析LED受损位置。这种失效模型分析方式可以不借助微观实验，直接进行判断，并可通过经验不断丰富。

关键词：LED、静电、失效分析

所属期刊栏目：47

分类号：TN36;TN383(半导体技术)

资助基金：上海市科学技术委员会项目09DZ1141504;国家自然科学基金61072038

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1151-1154