单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p+-Si异质结的紫外电致发光

摘要：

采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列.电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001 Ω cm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍.这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线.制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性.室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380 nm)和一个中心位于700 nm 的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰.

关键词：电致发光、氧化锌纳米线、硅、异质结

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分类号：O475(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2006CB921607;国家自然科学基金60576037,10574008,60476023

在线出版日期：2008-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：339-342