基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试

摘要：

为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术.针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道.测试结果显示,1～8GHz内,器件的插入损耗为-1.5～-3.5 dB,回波损耗为-15-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤.

关键词：射频器件、无损测试、各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构、GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)、单刀八掷(SP8T)开关、插入损耗

所属期刊栏目：49

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2024-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：97-102