110～200 GHz频段InP单行载流子光电二极管

摘要：

设计制备了一种基于InP材料低偏压工作的单行载流子光电二极管(UTC-PD),该器件的工作频率范围为110～200 GHz.为提升器件的带宽特性,UTC-PD芯片的吸收层采用p型高斯掺杂的InGaAs材料,芯片的InP衬底减薄至12 μm.UTC-PD采用背照式的方式输入光信号.通过倒装焊的形式将芯片安装在厚度为50 μm的A1N基片上的共面波导焊盘上进行测试.在-3V偏压和1.55 μm波长输入光条件下,制备器件的响应度超过0.2A/W;在110 GHz处获得最高输出功率为-5.6 dBm,197.83 GHz处的输出功率最低为-10.6 dBm.

关键词：低偏压、单行载流子光电二极管(UTC-PD)、高斯掺杂、背照式、响应度

所属期刊栏目：49

分类号：TN364.2(半导体技术)

在线出版日期：2024-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：39-44