一种抑制SiC MOSFET电压电流过冲的有源门极驱动电路

摘要：

相较于Si MOSFET,SiC MOSFET的高电子迁移率使其能支持更高的开关速度,但与此同时会产生更大的电压、电流过冲,影响其应用的可靠性.提出了一种用于抑制SiC MOSFET漏源电压vds与漏极电流id过冲的有源门极驱动(AGD)电路,通过检测vds和id变化率(dvds/dt和did/dt),利用高速模拟反馈回路控制门极驱动电流的方式来调节dvds/dt与did/dt,进而减小vds与id过冲.此外,将AGD方案拓展到电流源驱动电路,提出了电流源有源门极驱动(ACGD)电路.相较于传统门极驱动(CGD),ACGD方案同时具有更快的开关速度与更小的电压、电流过冲.基于双脉冲电路对比了 CGD与ACGD的不同效果,在采用ACGD电路后,电流过冲减小了 20％,延时减少了 30 ns;电压过冲减小了约7％,延时减少了 60 ns,电压上升速率提高了约 44％.

关键词：SiC MOSFET、有源门极驱动(AGD)、反馈控制、电流过冲、电压过冲

所属期刊栏目：48

分类号：TN78(基本电子电路)

在线出版日期：2023-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1006-1011,1029