电子束光刻制备In-Ga-Zn-O场效应晶体管

摘要：

无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注.提出了采用电子束直写技术对SnO2薄膜进行图形化并辐照改性的方法,成功制备了以SnO2为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测试.测试结果表明,该IGZO FET展现了优良的电学性能:高源漏电流开关比(1.1×106)、高电子迁移率(1.4 cm2/(V·s))、较小的回滞差分电压(＜2 V)、极低的栅极漏电流(＜1 nA),这为无掩模版制备高性能氧化物半导体器件及柔性全透明集成电路提供了全新的方法.
[14]SONG W,KWON S Y,MYUNG S,et al.High-mobility ambipolar ZnO-graphene hybrid thin film transistors[J].Scientific Reports,2014,4:4064-1-4064-6.

关键词：电子束光刻、无掩模版图形化、直写技术、氧化物半导体器件、In-Ga-Zn-O

所属期刊栏目：48

分类号：TN386;TN305(半导体技术)

资助基金：江苏省高层次创新创业人才引进计划;江苏省科技副总项目;常州市领军型创新人才引进培育项目;常州大学引进人才启动经费资助项目

在线出版日期：2023-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：991-994,1019