VGF法中降温速率对InP单晶生长的影响

摘要：

垂直梯度凝固(VGF)法生长磷化铟(InP)单晶时产生的缺陷主要有孪晶、位错、多晶等,这些缺陷严重影响了 InP单晶的产量与品质.首先简述了 VGF法生长InP单晶过程中容易产生的主要缺陷,然后通过实验对各生长阶段的降温速率进行调整,成功改善了孪晶、位错重复出现的情况.实验结果表明,增大放肩过程的降温速率有利于抑制放肩过程产生的内切孪晶,但容易增加晶体肩部的位错密度,至等径部位发生位错增殖.为解决此问题,实验在增加放肩降温速率的同时,适当减小了等径降温速率,从而有效抑制了等径部位的位错增殖.最终,实验中生长出了平均位错密度低于50 cm-2的高质量掺S InP单晶.

关键词：磷化铟、垂直梯度凝固(VGF)法、降温速率、孪晶、位错、缺陷

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分类号：TN304.23;TN304.053(半导体技术)

资助基金：云南省重大科技专项计划202202AH080009

在线出版日期：2023-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：985-990,1019