4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化

摘要：

目前用来揭示SiC的贯穿型位错缺陷的表征方法主要是湿法碱腐蚀,但现阶段利用KOH腐蚀4H-SiC晶片的腐蚀参数各不相同,腐蚀结果也有待优化.研究了熔融KOH对4H-SiC晶片的腐蚀形貌,利用金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀晶片,发现4H-SiC晶片在500℃熔融KOH中腐蚀20 min效果为最优.在此基础上研究分析了半绝缘4H-SiC晶片的贯穿型位错的密度和分布.结果表明,半绝缘型SiC晶片中贯穿型位错密度的分布具有一定的规律性,呈现出从晶片中心区域向晶片边缘处增长的特性,而这可能源于在物理气相传输法下SiC单晶生长不同区域产生的热应力不同.

关键词：SiC、湿法腐蚀、贯穿型位错、位错密度、位错缺陷分布

所属期刊栏目：48

分类号：TN304.24;TN307(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划

在线出版日期：2023-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：977-984