SiC MOSFET单粒子漏电退化的影响因素

摘要：

高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破.在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电压、离子注量以及反向栅源电压呈正相关.为进一步研究SiC MOSFET单粒子效应机理,结合实验数据进行TCAD仿真,发现器件发生单粒子效应时存在两种失效模式,第一种失效模式与Si基MOSFET类似,而第二种失效模式与SiC器件的特有结构密切相关,容易形成更高的分布电压,导致栅氧化层烧毁失效.该结果为抗辐照加固器件的研究提供了理论支撑.

关键词：SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)、单粒子效应(SEE)、漏电退化、漏源电压、离子注量

所属期刊栏目：48

分类号：TN386.1;TN306(半导体技术)

资助基金：上海市自然科学基金资助项目20ZR1435700

在线出版日期：2023-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：972-976,984