SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展

摘要：

集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料和部分工艺加工技术而发展有限.综述了国内外SiC晶圆材料和SiC-LDMOS器件结构的发展现状,着重从衬底材料、晶体取向和器件结构优化方面阐述了 SiC-LDMOS的研究进展,指出了 SiC-LDMOS全面发展的瓶颈所在,展望了未来SiC-LDMOS的发展方向.

关键词：SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)、衬底、晶面、器件结构、击穿电压、比导通电阻

所属期刊栏目：48

分类号：TN321.3;TN304.24(半导体技术)

在线出版日期：2023-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：949-960