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10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.09.011

X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC

引用
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC).将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺寸降低30%以上;限幅器级间采用电感匹配结构,提升MMIC的工作带宽;LNA采用并联负反馈、源极电感负反馈以及电流复用拓扑结构,实现超低功耗和良好的稳定性.芯片采用整体最优化设计,在片测试结果表明,在工作频带内,限幅LNA MMIC芯片的增益为(25±0.2)dB(去除1dB斜率),噪声系数小于1.6 dB,总功耗小于100 mW,耐功率大于46 dBm,该芯片尺寸为2.8 mm× 2.4mm,充分体现了集成工艺的性能和尺寸优势.

赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)、限幅器、低噪声放大器(LNA)、单片微波集成电路(MMIC)、负反馈

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TN722.3;TN454(基本电子电路)

2023-10-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

805-811

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