204～218 GHz AlN基板散热增强式GaN二倍频器

摘要：

针对传统肖特基势垒二极管基倍频器输出功率低的问题,提出了一种AlN基板散热增强式GaN二倍频器.倍频器采用AlN基板代替传统石英基板,结合具有高耐压特性的GaN肖特基势垒二极管,大幅提升了倍频器的散热特性及耐受功率.热仿真结果显示倍频器中芯片结温温升下降了约31％,耐受功率达到1W以上.制作了二倍频器样品并对其输出功率、转换效率进行测试.测试结果表明,输入连续波功率为300 mW时,该二倍频器在204～218 GHz频带内的转换效率均大于10％,具有较大的工作带宽.在210 GHz工作频率下,将输入功率增加至900 mW,二倍频器依然能够稳定工作,实现了 87 mW的输出功率和9.7％的转换效率.

关键词：氮化镓(GaN)、二倍频器、氮化铝(AlN)、散热、耐受功率

所属期刊栏目：48

分类号：TN771(基本电子电路)

在线出版日期：2023-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：800-804