基于应变锗的金属-半导体-金属光电探测器

摘要：

通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能.将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和大小.利用这一方法,制备出了高性能双轴应变Ge对称型肖特基接触金属-半导体-金属(MSM)光电探测器.经测试,在1 V偏压和入射功率为1 000 nW的863 nm激光下,该探测器具有低至nA量级的暗电流和高达713的电流开/关比.该性能的实现主要是依赖于双轴应变和掺杂对Ge能带的修饰.研究结果展示了应变Ge在光电探测领域的优势,也证明了其在Si兼容光学通信设备中的应用潜力.

关键词：绝缘体上锗(GOI)、应变锗(Ge)、肖特基接触、光电探测器、金属-半导体-金属(MSM)

所属期刊栏目：48

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2022YFB4401700

在线出版日期：2023-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：747-754