GeSn光电薄膜及其研究进展

摘要：

GeSn作为一种新型低成本、绿色半导体材料,具有带隙和晶格常数可调、载流子迁移率高、光吸收性能好和光响应度高等优势,在光电器件领域备受关注,在光伏和热光伏领域不断取得新的突破.对GeSn材料的基本物性、实验制备、应用研究和进展进行了详细地介绍.着重对GeSn在光伏电池和热光伏电池的研究进行了分析,并对其在光伏和热光伏领域的发展进行了展望,希望未来能为高效叠层太阳电池的研究提供新思路和新方法.

关键词：GeSn、基本物性、光电器件、光伏电池、热光伏电池

所属期刊栏目：48

分类号：TN304.2;TN36;O47(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;北京市科技新星计划资助项目

在线出版日期：2023-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：729-740