胺结构调控硅通孔电镀铜单组分添加剂的性能

摘要：

通过季铵化反应对硅通孔(TSV)铜互连单组分电镀添加剂Tetronic 701(TE701)中乙二胺结构进行了电荷与空间位阻调控,获得两种甲基化季铵盐和两种磺酸丙基化季铵盐衍生物.采用恒电流测试和循环伏安法分析了衍生物的电化学性能,通过TSV芯片电镀铜研究了不同衍生物的电镀性能.结果表明,季铵盐衍生化虽未改变TE701作为添加剂的作用机制,但乙二胺结构上正电荷增加会导致TE701衍生物在阴极表面的吸附增强,从而减少脱附位点,并减缓TSV上部侧壁的铜沉积;而乙二胺连接带负电的磺酸丙基则会显著降低TE701衍生物的吸附强度,使其失去超填充性能.

关键词：铜互连、电镀、硅通孔(TSV)、添加剂、Tetronic 701(TE701)

所属期刊栏目：47

分类号：TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：796-803