SiC MOSFET功率模块的并联均流研究

摘要：

采用多芯片并联的方法可提高SiC MOSFET功率模块的应用电流等级,但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致,这将影响功率模块的可靠性.建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型,分别改变功率回路和驱动回路的杂散参数并计算其不均衡度,使用双脉冲测试方法测试相应的开、关电流,计算其电流不均衡度.研究了模块内部各杂散参数对多芯片并联均流能力的影响,结果表明,功率模块的瞬态均流能力受源极电感影响较大,稳态均流能力受杂散电阻影响较大.提出了一种基于芯片源极互连降低并联均流不均衡度的方法,仿真结果表明该方法可有效降低源极参数对多芯片并联均流能力的影响.

关键词：功率模块、封装技术、杂散电感、并联均流、源极互连

所属期刊栏目：47

分类号：TN45;TN386.1(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：湖南省教育厅科学研究重点资助项目;长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室开放基金资助项目

在线出版日期：2022-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：481-487