阻挡层抛光液对铜点蚀电化学行为的影响

摘要：

采用电化学测试方法研究了在以甘氨酸为络合剂的碱性抛光液中,两种不同缓蚀剂1,2,4-三氮唑(TAZ)和苯并三氮唑(BTA)对阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中Cu点蚀缺陷抑制的电化学行为.利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征了 TAZ与BTA对Cu表面化学微腐蚀形貌的影响.结果表明,甘氨酸的络合溶解作用会诱发Cu表面氧化膜覆盖度降低而产生局部点蚀;BTA与TAZ均为混合型缓蚀剂,可阻碍Cu表面的微电偶形成,但BTA对Cu表面腐蚀的抗点蚀性显著强于TAZ;CMP过程中的点蚀主要表现为静态局部腐蚀.通过优化缓蚀剂浓度,利于抛光液对Cu CMP实现高去除速率下的点蚀缺陷抑制,同时降低Cu的CMP表面粗糙度,从而提升Cu互连可靠性.

关键词：铜、点蚀、络合作用、粗糙度、缓蚀剂

所属期刊栏目：47

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：460-467