InP HEMT空腔栅结构器件制备及性能

摘要：

InP HEMT具有优异的高频特性以及良好的散热、击穿和噪声性能,已成为太赫兹应用领域的重要器件之一.工程化应用要求器件具有厚的钝化保护层,厚钝化层又导致器件频率特性变差.针对这一问题,在自主的工艺线上制备了源漏间距2.5 μm、栅长100 nm的T型栅InP基InAlAs/InGaAs HEMT.通过采用高In组分的InGaAs沟道层提升了该层的载流子迁移率和器件的直流跨导,最大直流跨导为1 700 mS/mm;通过制作空腔结构解决了厚钝化层带来的栅寄生电容大的问题,器件频率特性有很大提升,截止频率为300 GHz,最大振荡频率为700 GHz.微波测试结果表明,该器件在加厚钝化保护层后依然保持了良好的频率特性,可用于220 GHz放大器工程化应用领域.

关键词：InP HEMT、空腔、太赫兹、寄生电容、可靠性

所属期刊栏目：47

分类号：TN386.3;TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2018YFE0202500

在线出版日期：2022-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：443-447