硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势

摘要：

硅通孔(TSV)阻挡层化学机械抛光(CMP)是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一,配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节.总结了 目前国内外TSV阻挡层抛光液的研究现状;研究了 TSV Ta基阻挡层抛光过程中Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比及抛光后晶圆的表面质量;通过改变TSV阻挡层抛光液中络合剂、氧化剂和缓蚀剂等成分,可以控制Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比,修正Cu层上的碟形坑,实现TSV晶圆的全局平坦化;最后指出开发新型的Co基和Ru基阻挡层抛光液,研制绿色环保的Ta基阻挡层抛光液产品,将成为TSV阻挡层抛光液未来研究的主要方向.

关键词：硅通孔(TSV)、化学机械抛光(CMP)、阻挡层、去除速率选择比、表面质量

所属期刊栏目：47

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;天津市自然科学基金资助项目;天津市自然科学基金资助项目

在线出版日期：2022-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：421-428