基于高压BCD工艺的内集成自举电路

摘要：

设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC).对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题.基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证.测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能.

关键词：高压集成电路(HVIC)、BCD工艺、MOS自举电路、二极管自举电路、低电压

所属期刊栏目：47

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：140-144