200 mm超厚层IGBT用硅外延片滑移线控制

摘要：

重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法.使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线.从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的控制这三个方面改善了滑移线.结果 表明,随着衬底倒角背面幅长和基座背面凹槽深度的增加,外延片的滑移线长度均呈现先减小后增大的趋势.衬底倒角最佳背面幅长为500 μm,基座背面凹槽的最佳深度为0.80 mm.同时,在873 K下恒温3 min的升温工艺可以减少厚层硅外延片的滑移线.

关键词：高压IGBT、外延、滑移线、平板硅外延炉、凹槽深度

所属期刊栏目：47

分类号：TN304.054;TN304.12(半导体技术)

在线出版日期：2022-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：122-125,151