SiC晶圆背面激光退火工艺研究

摘要：

降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(XRD)和探针台对晶圆背面镍硅合金进行测量分析,得出最佳能量为3.6 J/cm2.退火后采用扫描电子显微镜(SEM)观察晶圆背面碳团簇,针对背面的碳团簇问题,在Ar2气氛下对晶圆进行了表面处理,使用SEM和探针台分别对两组样品的表面形貌和电压-电流特性进行了对比分析.实验结果表明,通过表面处理可以有效降低表面的碳含量,并且使器件正向压降均值降低了6％,利用圆形传输线模型(CTLM)测得芯片的比导通电阻为9.7×10-6 Ω·cm2.器件性能和均匀性都得到提高.

关键词：SiC、激光退火、镍硅化物、欧姆接触、碳团簇

所属期刊栏目：47

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2016YFB0400503

在线出版日期：2022-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：117-121,151