一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管

摘要：

设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析.对比了该器件与传统TFET的亚阈值摆幅、关态电流和开关电流比,并从器件的带带隧穿概率分析其优势.仿真结果表明,该器件的最佳数值开关电流比及亚阈值摆幅分别可达3.56×1012和24.5 mV/dec.另外,该DG-TFET在双极性电流和接触电阻方面性能良好,且具有较快的转换速率和较低的功耗.

关键词：带带隧穿(BTBT)、双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)、扩展源(ES)、开关电流比、亚阈值摆幅(SS)

所属期刊栏目：47

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2022-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：94-99,139