氮化镓化学机械抛光中抛光液的研究进展

摘要：

氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工.因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题.CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用.对近年来应用于GaN CMP抛光液中的磨料、氧化剂、表面活性剂、光催化剂等重要组分的抛光效果及作用机理进行了回顾.主要可以归纳为磨料逐渐从单一磨料向复合磨料方向发展,阴离子表面活性剂较其他活性剂效果更好;同时,发现主流的GaN CMP过程为先氧化再去除,因此氧化剂和光催化剂逐渐成为了研究热点.最后对GaN CMP的未来研究方向进行了展望.

关键词：氮化镓(GaN)、化学机械抛光(CMP)、抛光液、抛光液组分、抛光机理

所属期刊栏目：47

分类号：TN305.2;TQ421.4(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;河北省自然科学基金资助项目

在线出版日期：2022-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：81-86,133