衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响

摘要：

硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO2层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响.对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层电阻率不均匀性与衬底去边宽度呈正比.衬底去边宽度也会影响外延片的外观、表面颗粒以及滑移线.进一步研究了去边宽度对后续制备MOS管在晶圆片内击穿电压分布的影响,发现去边宽度越宽,晶圆片内MOS管击穿电压差越大.综合考虑外延片及其制备器件参数,选择0.3 mm为制备高阻厚层硅外延片的最佳去边宽度,可以获得优良的外延片参数及器件特性.

关键词：去边宽度、高阻厚层硅外延片、不均匀性、滑移线、击穿电压

所属期刊栏目：46

分类号：TN304.054(半导体技术)

在线出版日期：2021-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：875-880,886